负热淬灭对富受主型ZnO微米管光电性能的研究
来源：激光技术杂志2024年第6期北京时间：
作者：潘永漫, 闫胤洲, 张永哲, 王强, 蒋毅坚
摘要：为了研究ZnO本征缺陷种类与浓度对激子跃迁复合和载流子输运特性的影响，采用改进的光学气化过饱和析出法制备了本征富受主型ZnO(A-ZnO)微米管。通过氧气生长气氛实现了施主-受主对和中性受主束缚激子A0X的浓度调控，揭示了缺陷浓度调控中间态能级产生负热淬灭效应的机制。结果表明，通过提高浅受主缺陷浓度以及提升中间态能级位置，可将A-ZnO微米管的电阻率下降7倍，紫外光响应时间缩短51%，实现了A-ZnO微米管的导电性增强和高效紫外探测。此研究结果为ZnO微纳结构半导体光电器件性能调控提供了新思路。
关键词：光电子学, 负热淬灭, 光致发光, 紫外探测
