GaAs基近红外锥形半导体激光器的研究进展

来源：激光技术杂志2024年第6期北京时间：

作者：吕梦瑶, 王浩淼, 贺钰雯, 周智雨, 宋梁, 杜维川, 武德勇, 唐淳

摘要：基于GaAs衬底的近红外波段半导体激光器已经取得了显著的发展。在大功率研究方面，因为可以同时实现高功率、高光束质量的优良特性，主振荡功率放大器结构的锥形半导体激光器成为了广受关注的研究热点。归纳了近年来国内外关于GaAs基锥形激光器的代表性研究成果，讨论了激光器器件结构设计(包括脊形区、锥形区以及布喇格光栅等的设计)和外延层优化在理论研究及实验方面取得的进展；围绕高功率、高光束质量、高亮度、窄线宽应用需求，总结整理了锥形激光器的研究进展与性能特征；对本团队关于锥形激光器的研究工作进行了简要介绍；并展望了锥形激光器未来的发展方向。

关键词：激光器, 锥形半导体激光器, 器件结构设计, 外延优化