一种进行环路隔离的大电流高电源抑制比LDO设计

来源：电子测量技术杂志2024年第3期北京时间：

作者：张加宏，沙秩生，王泽林，刘祖韬，邹循成

单位：1.南京信息工程大学集成电路学院 南京 210044; 2.南京信息工程大学江苏省大气环境与 装备技术协同创新中心 南京 210044

摘要：针对传统带有电荷泵、以 NMOS作为功率管的LDO驱动能力低下和输出纹波偏高的问题，基于Huahong 0.35 μm BCD工艺，设计了一种隔离交直流环路的大电流LDO。该LDO通过将直流环路和交流环路进行隔离，降低了对电荷泵驱动能力的需求，从而保证NMOS功率管栅极驱动电压的较低纹波并实现大电流输出。通过加入纹波电流吸收电路，增强了LDO的PSRR。结果表明，在3.41~5.5 V的输入电压范围内，LDO的输出电压为3.3 V，输出电流最高达到3 A，压差为110 mV。LDO 在轻负载下的PSRR为：111.261 dB@DC，86.900 5 dB@1 kHz，78.947 2 dB@1 MHz；重负载下的PSRR为：111.280 dB@DC，84.123 1 dB@1 kHz，39.263 8 dB@1 MHz。

关键词：NMOS LDO;大电流;环路隔离;高PSRR

基金资助：国家重点研发计划(2022YFB3205902，2022YFB3205903)项目资助