深空环境下电子器件可靠性研究进展

来源：系统工程与电子技术杂志2025年第4期北京时间：

作者：关旗龙, 杭春进, 李胜利, 唐晓玖, 于丹, 丁颖

单位：1. 哈尔滨工业大学材料结构精密焊接与连接全国重点实验室, 黑龙江 哈尔滨 150001；2. 哈尔滨工业大学郑州研究院, 河南 郑州 450000；3. 北京控制工程研究所, 北京 100094

摘要：深空环境(深冷、极高温和强辐射等)严重影响星载器件的性能及可靠性, 影响深空探测航天器安全运行。锗硅(SiGe)器件主要适用于低温和强辐射环境, 碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)半导体是适用于所有极端环境的理想器件。极高温环境下, 器件封装材料服役可靠性成为星载半导体器件进一步发展的巨大挑战。梳理国内外关于硅(Si)、绝缘体上硅(SOI)、SiGe、GaN和SiC器件以及器件封装材料在上述极端环境下的可靠性研究。针对上述半导体器件和封装材料的特点做出了服役环境总结以及使用建议。

关键词：深空探测,极端环境,电子器件,可靠性,电子封装