Zn0.95-xBe0.05MnxSe稀磁半导体的光谱特性分析

来源：激光技术杂志2015年第1期北京时间：

作者：付奎, 娄本浊, 孙彦清, 龙姝明, 黄朝军

摘要：为了研究稀磁半导体Zn0.95-xBe0.05MnxSe (x分别为0.05,0.10,0.15,0.20)随温度变化的光学特性,采用电场调制反射光谱、表面光电压光谱及光激发荧光光谱等测量技术,进行了理论分析与实验验证,取得了一系列数据。结果表明,除x=0.1的样品外,其它样品的能隙会随Mn掺杂摩尔分数的增加而增大,这是由价带和导电中的电子和Mn中的d层电子彼此交换的相互作用产生的微小位移所致;温度升高时跃迁信号会向低能量方向移动,则是晶格-声子散射效应增加所致。

关键词：光谱学, 光学特性, 电场调制反射光谱, 表面光电压光谱, 激发荧光光谱, 稀磁半导体, 硒化锌铍锰, 温度