共栅共源结构GaN HEMT开关模型

来源：浙江大学学报·工学版杂志2016年第3期北京时间：

作者：马皓,张宁,林燎源

单位：浙江大学 电气工程学院,浙江 杭州 310027

摘要：为了计算共栅共源结构高压氮化镓（GaN）器件开关损耗,提出一种共栅共源结构GaN器件开关过程及损耗模型. 通过考虑共栅共源结构中印制电路板(PCB)和引线寄生电感以及器件结电容,得出共栅共源结构GaN器件的等效电路模型,进而得到测试开关特性的双脉冲等效电路. 按时间顺序将开通过程分为5个阶段,将关断过程分为4个阶段，对双脉冲等效电路进行分析和简化,并计算得出各个阶段中共栅共源结构GaN器件电压电流时域表达式,从而得到开关过程波形及损耗. 在不同驱动电阻和开关电流下进行双脉冲实验,模型与实验的开关波形及损耗较吻合,表明所提出模型较准确．

关键词：

基金资助：国家“863”高技术研究发展计划资助项目(SS2012AA053602).