氧化应激刺激下瞬时受体电位M通道在缺血再灌注损伤中的研究进展
来源：中国心血管杂志2019年第10期北京时间：
作者：刘园园,邓国英,王秋根
摘要：氧化应激是引起缺血再灌注(I/R)损伤的主要机制之一。瞬时受体电位(TRP)M通道是非选择性的Ca渗透性阳离子通道，它的一些成员如TRPM2和TRPM7可受氧化应激调节，参与I/R损伤。本文就近年来氧化应激刺激下TRPM通道在心、脑、肾的I/R损伤中的具体作用及未来治疗潜力展开综述。
关键词：瞬时受体电位M通道;缺血再灌注损伤;氧化应激;活性氧
基金资助：国家自然科学基金项目71432007
