电针对局灶性脑缺血再灌注模型大鼠学习记忆作用的氧化应激机制

来源：中国康复医学杂志2015年第8期北京时间：

作者：林浴坤,林如辉,陈 斌,俞坤强,陶 静,

单位：福建中医药大学康复医学院，福州，350122

摘要：目的：通过氧化应激探讨电针神庭、百会对局灶性脑缺血再灌注大鼠学习记忆的影响，阐明其治疗脑缺血后认知功能障碍的可能机制。方法：雄性SD大鼠72只，随机分为假手术组、模型组、电针组、非穴组，每组18只大鼠。以大脑中动脉闭塞（MCAO）法建立大鼠局灶性脑缺血再灌注模型。电针组、非穴组行电针干预7天。各组在造模后3d开始采用Morris水迷宫检测学习记忆能力，免疫组化、免疫蛋白印迹和RT-PCR检测caspase-3表达,用化学比色法检测SOD、MDA和GSH-PX。结果：与其他组相比，电针神庭、百会穴可明显改善MCAO大鼠的神经功能缺损症状；改善MCAO大鼠学习记忆能力；降低皮质caspase-3表达；增强SOD、GSH-PX的活性，降低MDA的含量。结论：电针通过抑制氧化应激、控制神经细胞凋亡，来实现改善局灶性脑缺血再灌注大鼠学习记忆能力，保护神经细胞的损伤。

关键词：脑缺血电针学习记忆氧化应激凋亡

基金资助：协同创新中西医结合基础研究实验专项（3021-985010006）（X2012004-协同）；国家自然科学基金资助项目（81373778）