不同侵蚀条件下水泥基材料碳硫硅钙石生成速度比较

来源：同济大学学报·自然科学版杂志2015年第5期北京时间：

作者：王冲

单位：重庆大学材料科学与工程学院

摘要：通过观察水泥净浆试件在电脉冲和常规浸泡条件下不同龄期的外观变化，并结合扫描电镜(SEM/EDS)、X射线衍射、红外光谱(FTIR)分析侵蚀产物的组成，对试件遭受硫酸盐侵蚀后碳硫硅钙石的生成速度进行了比较.结果表明：电脉冲明显加速了水泥基材料中碳硫硅钙石的生成速度.在电脉冲作用90～120天时试件内部有一个生成碳硫硅钙石的准备期，作用120天后侵蚀产物中出现大量的碳硫硅钙石；常规浸泡1年后，试件内部只检测到生成碳硫硅钙石所需的中间体，并无大量碳硫硅钙石生成.

关键词：水泥基材料, 电脉冲, 硫酸盐侵蚀, 碳硫硅钙石, 常规浸泡

基金资助：水文水资源与水利工程科学国家重点实验室开放研究基金（2012491211）.