带隙渐变纳米线的制备及其非线性光学效应研究

来源：上海理工大学学报杂志2018年第2期北京时间：

作者：汪雨

单位：上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093,上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093,上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093

摘要：由于一般的半导体纳米材料只有单一带隙，限制了其应用范围。通过搭建气–；液–；固法生长纳米线的实验装置，引入金作为催化剂，并加入移动源，成功制备出单根带隙渐变的硫硒化镉纳米线。其成分从一端的纯硫化镉连续过渡到另一端的纯硒化镉，对应的带隙从2.44 eV渐变到1.74 eV。并使用波长为405 nm的激光照射该纳米线，得到它的荧光光谱图来证实其带隙呈渐变状态。利用波长为1 064 nm的激光，将其耦合进单根纳米线中，产生了532 nm的绿色倍频光和双光子荧光，这说明硫硒化镉纳米线具有二阶和三阶的非线性光学效应。

关键词：半导体纳米线;硫硒化镉;气–液–固法;非线性光学效应

基金资助：国家自然科学基金资助项目（11674230）