《上海理工大学学报杂志》发表论文赏析
作者:饶俊峰
单位:上海理工大学 机械学院, 上海 200093,上海理工大学 机械学院, 上海 200093
摘要:在全固态Marx发生器的基础上进行电路拓扑的改进:充电方式采用高压直流充电;多级电容储能合并为一级高压电容储能,减少电路的寄生参数;通过一级半导体串联开关对高压电容输出的直流电压进行斩波形成高压脉冲;增加一组截尾开关,快速释放负载的残存电荷,在脉冲末尾形成快速的下降沿。详细分析了串联半导体开关驱动电路的特点后,设计了串芯磁环隔离驱动电路和共原边延时驱动电路来满足驱动要求。最后在20 kΩ阻性负载上实现10 kV的高压方波脉冲输出。
关键词:IGBT串联技术;高压方波脉冲;截尾开关;延时驱动电路;RCD缓冲电路
基金资助:国家自然科学基金资助项目(51707122)