基于boost效应的XRAM电路研究

来源：上海理工大学学报杂志2025年第3期北京时间：

作者：姜松，蔡萌萌，饶俊峰

单位：上海理工大学 机械工程学院，上海 200093,上海理工大学 机械工程学院，上海 200093,中国科学院 苏州生物医学工程技术研究所，苏州 215163

摘要：电感储能型脉冲电源在脉冲磁场领域有着广泛的应用前景，其中利用多级电感串联充电和并联放电的XRAM电路拓展性更强。提出了一种利用MOSFET开关、且有电容boost效应辅助升流的XRAM电路，其结构简单，便于模块化设计，无需高压直流源就可产生大电流脉冲和脉冲磁场。基于这种拓扑，搭建了由2个两级XRAM电路并联的四级XRAM电路，只需24 V直流供电电压，即可在10 μH电感负载上产生频率10～100 Hz、脉宽0～2 ms的0～150 A脉冲电流，进而产生最大0.125 T的脉冲磁场，验证了方案的可行性。电路仿真验证了电容的升流作用，并对不同充电时间的升流效果进行了比较。通过增加并联支路数量，可以获得更强的脉冲磁场。

关键词：XRAM电路;电感储能;脉冲电流;脉冲磁场

基金资助：国家自然科学基金资助项目 (12205192)