基于GaAs pHEMT实现的毫米波宽频带低插损单刀双掷开关

来源：南京信息工程大学学报·自然科学版杂志2021年第4期北京时间：

作者：张艺

单位：张艺,广东工业大学 信息工程学院, 广州, 510006,张志浩,广东工业大学 信息工程学院, 广州, 510006,章国豪,广东工业大学 信息工程学院, 广州, 510006,1719208758@qq.comis_first_author:0,is_contact_author:,sequence:3,first_name:,middle_name:,last_name:,resume:,institute_superscript:

摘要：介绍了一种基于滤波器优化方法的双节枝毫米波开关拓扑架构，每个节枝由串联的1/4波长阻抗变换器及并联的开关器件构成，并将整体分布式结构视为一个滤波器问题进行处理，可以有效降低插入损耗.利用该方法采用0.15 μm GaAs pHEMT工艺实现了一款应用于毫米波通信频段的单刀双掷（SPDT）开关芯片，整体面积为2.1 mm×1.1 mm.测试结果表明，在23~30 GHz频率范围内，该开关芯片的整体插入损耗小于1.3 dB，隔离度大于23 dB，输入输出回波损耗均大于10 dB.

关键词：毫米波;单刀双掷开关;GaAs pHEMT;低插入损耗

基金资助：广东省重点领域研发计划（2018B010115001）