24~30 GHz GaN HEMT单片集成单刀双掷开关

来源：南京信息工程大学学报·自然科学版杂志2021年第4期北京时间：

作者：曾丁元

单位：曾丁元,华南理工大学 电子与信息学院/广东省毫米波与太赫兹重点实验室, 广州, 510641,朱浩慎,华南理工大学 电子与信息学院/广东省毫米波与太赫兹重点实验室, 广州, 510641;琶洲实验室 智能感知与无线传输中心, 广州, 510330,zhuhs@scut.edu.cn冯文杰,琶洲实验室 智能感知与无线传输中心, 广州, 510330;南京理工大学 电子工程与光电技术学院, 南京, 210094,车文荃,华南理工大学 电子与信息学院/广东省毫米波与太赫兹重点实验室, 广州, 510641;琶洲实验室 智能感知与无线传输中心, 广州, 510330,薛泉,华南理工大学 电子与信息学院/广东省毫米波与太赫兹重点实验室, 广州, 510641;琶洲实验室 智能感知与无线传输中心, 广州, 510330

摘要：本文研究了一种基于100 nm氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）工艺设计的24~30 GHz单片集成单刀双掷（SPDT）开关.该开关采用1/4波长微带线并联HEMT开关器件的结构，通过采用两级并联HEMT实现低插入损耗同时获得更好的隔离度.测试结果显示，在24~30 GHz的5G毫米波频段内以及0/-5 V的控制电压下，该开关的插入损耗低于1.5 dB，隔离度优于28 dB，输入功率1 dB压缩点大于27 dBm.测试结果能够很好地验证仿真结果.

关键词：GaN HEMT;单片微波集成电路;单刀双掷开关

基金资助：国家重点研发计划（2018YFB1802002）；广东省珠江人才计划引进创新创业团队项目（2017ZT07X032）