基于65-nm CMOS工艺的W波段两路电流合成型功率放大器的设计

来源：南京信息工程大学学报·自然科学版杂志2021年第4期北京时间：

作者：黄占秋

单位：黄占秋,电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都, 611731,张旭,电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都, 611731,赵晨曦,电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都, 611731,cxzhao@uestc.edu.cn康凯,电子科技大学 电子科学与工程学院, 成都, 611731

摘要：采用三级差分共源结构设计了一种基于65-nm CMOS工艺的W波段功率放大器，并利用两路电流型功率合成结构进行功率合成以提升输出功率.为了同时实现单差分转换、阻抗匹配、直流供电，匹配网络采用变压器结构.仿真结果显示，在1 V的电源电压下，该功率放大器的小信号增益为12.7~15.7 dB，3-dB带宽为84~104 GHz，饱和输出功率为14.6 dBm，峰值功率附加效率为9.7%.该功率放大器具有良好的大信号性能，且芯片的核心面积仅为0.115 mm2.

关键词：CMOS工艺;功率放大器;功率合成;W波段

基金资助：国家自然科学基金（61931007，62025106）；国家重点研发计划（2020YFB1805003）