基于CMOS工艺毫米波宽带片上天线

来源：雷达科学与技术杂志2018年第4期北京时间：

作者：张豪，王磊，刘涓

单位：北京遥感设备研究所， 北京100854

摘要：设计了一种基于0.18μm互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）工艺的94GHz频段宽带片上天线。该天线采用改进的单极子天线形式，以实现较宽的阻抗带宽。天线馈电形式采用共面集成波导（CPW）馈电结构，该结构便于毫米波天线探针台测试系统测试。此外，通过采用全波仿真软件HFSS，对天线衬底尺寸对天线阻抗和辐射性能的影响进行对比分析。所设计的天线工作频带（|S11|≤-10dB）为74~117.6GHz，94GHz频点处的增益为1.35dBi。该天线具有工作频带宽、辐射性能好等特性，可实现天线与IC芯片的一体化片上集成，满足宽带无线通信系统或毫米波雷达系统高集成度、小型化的应用需要。

关键词：毫米波,硅基片上天线,0.18μm互补金属氧化物半导体,宽带天线,