基于共源共栅结构的高输出功率VCO

来源：雷达科学与技术杂志2019年第2期北京时间：

作者：周雅，焦晓波

单位：1.许昌学院电气信息工程学院， 河南许昌461000;2.许昌供电公司电力通信中心， 河南许昌461000

摘要：为了降低与射频系统级相关的功耗，以及增加输出功率，提出了一种共源共栅结构的CMOS VCO。所提出的VCO核心包含有共源共栅结构，以增加VCO的供电电压。为了降低与栅源级间和栅漏级间击穿相关的可靠性问题，将共源晶体管的栅级节点与共栅晶体管的源级节点相连。为了验证所提出VCO的有效性，采用90nm的RF CMOS工艺设计了一款2.4GHz的CMOS VCO芯片，由测试结果可得，该款VCO在2V电源电压供电下取得了相对较高的输出功率、较低的相位噪声以及变化较平缓的振荡频率。

关键词：共源共栅,交叉耦合,压控振荡器,互补金属氧化物半导体,高输出功率,

基金资助：河南省科技攻关项目（No.172102210465）；河南省教育厅科学技术研究重点项目（No.16A413013）；许昌市科技发展计划项目（No.1502094）