《精细化工杂志》发表论文赏析
作者:万烨
摘要:研究采用连续流微通道反应器,利用光氯化反应选择性脱除三氯氢硅中的甲基二氯硅烷,考察各因素对甲基二氯硅烷去除率的影响。研究结果表明,增加氯气量和光强,升高温度,减少光源波长,延长反应时间有利于甲基二氯硅烷的去除,在最优条件下,产品中甲基二氯硅烷含量小于0.05?10-6,去除率达到99.6%;反应产物中出现少量四氯化硅,是聚氯硅烷和三氯氢硅发生氯化反应生成。以此为原料使用评价炉制备的多晶硅中碳含量小于3?1015atom/cm3,达到电子一级品指标。
关键词:微通道;光氯化;三氯氢硅;甲基二氯硅烷
基金资助:国家科技攻关计划(工信部工业强基工程项目)