原位合成NiO催化硅粉氮化制备氮化硅
来源：机械工程材料杂志2016年第6期北京时间：
作者：古亚军, 张海军, 李发亮, 张少伟
摘要：采用化学沉淀方法在硅粉表面沉淀了Ni(OH)2, 利用其原位合成NiO来催化硅粉氮化制备Si3N4粉, 研究了原位合成NiO含量(质量分数为0~2.0%)和氮化温度对硅粉氮化的影响。结果表明:原位合成的NiO可以促进硅粉的氮化, 随着NiO含量的增加, 硅粉的氮化率呈先增后减的变化趋势; 随着氮化温度的升高, 硅粉氮化率逐渐提高, 当温度升高到1 400 ℃、NiO质量分数为1.0%时硅粉全部氮化; 制备的Si3N4呈晶须状, 直径为65～497 nm, 其生长符合固-液-气-固（SLGS）生长机理。
关键词：硅粉, Si3N4, 催化氮化, NiO
