C掺杂Mn3Ge的电子结构和磁性
来源：计算物理杂志2019年第6期北京时间：
作者：张雪颖, 冯琳
摘要：采用第一性原理计算方法研究C掺杂对Mn3Ge的影响.对Mn3-xGeCx的晶体结构进行几何优化，发现C原子最稳定的掺杂位置在正八面体的中心位置.研究其电子结构和总磁矩随C掺杂量的变化，发现总磁矩随着C浓度的增加先减小后增大，其中Mn3GeC0.4总磁矩接近零，可以实现完全的磁性补偿.研究Mn3GeC0.4多层膜的磁性，给出总磁矩接近零的Mn3GeC0.4多层膜结构，为Mn3Ge的实际应用提供参考.
关键词：Heusler合金, Mn3Ge, C掺杂, 磁性
