耦合形貌对Si4团簇电子输运影响的第一性原理计算

来源：计算物理杂志2018年第2期北京时间：

作者：柳福提, 张淑华, 程晓洪

摘要：运用密度泛函理论与非平衡格林函数相结合的方法，对Si4团簇与Au（100）-3×3两电极以顶位-顶位、顶位-空位、空位-空位三种形貌相连构成的Au-Si4-Au纳米结点的拉伸过程进行第一性原理模拟，计算不同构型纳米结点在不同距离的电导和结合能.讨论耦合形貌、距离对结点电导的影响，结合能的计算表明三种不同耦合形貌结点存在稳定平衡结构，其平衡电导分别为0.71 G0、0.96 G0和2.44 G0，且在-1.2 V~1.2 V的电压范围内，三种不同耦合形貌结点稳定结构表现出类似金属的导电特性，其I-V关系都近似为直线.计算结果表明Si4团簇与电极的耦合形貌、两极距离对纳米结点电子输运有重要影响.

关键词：Si4团簇, 耦合形貌, 纳米结点, 电子输运