过渡金属掺杂GaN的电子结构和光学性质理论研究
来源：计算物理杂志2016年第4期北京时间：
作者：董艳锋, 李英
摘要：采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算不同过渡金属（V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni）掺杂GaN的电子结构及光学性质，分析掺杂对电子结构及光学性质的影响.结果表明，过渡金属掺杂在GaN的禁带中引入杂质能带，除掺Fe体系外其它掺杂体系都表现为半金属性.除掺Fe和Ni体系在低能区没有出现光吸收外，其它体系均在低能区杂质能级处出现光吸收.
关键词：GaN, 过渡金属掺杂, 电子结构, 光学性质
