《计算物理杂志》发表论文赏析

一种二次型忆阻器四阶混沌电路

来源:计算物理杂志2015年第6期北京时间:

作者:余世成, 曾以成, 李志军

摘要:由HP实验室研制的无源忆阻器得到的荷控二次型忆阻器模型,与有源磁控分段线性和三次光滑忆阻器模型相比,更符合实际.利用此模型并基于蔡氏混沌电路演化而来的拓扑对偶结构设计了一种新型忆阻器四阶混沌电路.理论分析、仿真及电路实现表明,该电路具有依赖于忆阻器初始状态的复杂动力学行为,也会产生随时间和系统参数变化的状态转移等非线性动力学现象,在相轨图中出现"涡眼"和"环眼".

关键词:二次型忆阻器, 混沌电路, 初始状态, 状态转移

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