一种低温度系数的带隙基准电压源设计

来源：计算机技术与发展杂志2016年第02期北京时间：

作者：张瑛;王剑;周洪敏

摘要：基准电压源是集成电路系统中的重要组成部分,其性能直接影响系统的稳定性和鲁棒性。温度系数是基准电压源的重要性能指标之一,而高阶温度补偿技术是降低基准源温度系数的有效方法。基于标准0.18μm CMOS工艺,设计了一种低温度系数的带隙基准电压源,采用电流模结构的带隙基准电路实现了低电源电压工作,并通过VBE线性化补偿技术实现了在低压下的高阶温度补偿。所设计的 CMOS 带隙基准电压源在-40~125℃的范围内,温度系数为6.855 ppm/℃,低频时电源电压抑制比达到了-95 dB,而电源电压在0.6~1.8 V范围内变化时线性调整率仅为0.2%。仿真实验结果表明,该电路结构能够有效提升带隙基准电压源的温度性能。

关键词：带隙基准;温度系数;电流模;电源电压抑制比