基于TIA/EIA-899标准的TYPE-I型M-LVDS接收器设计

来源：计算机工程与科学杂志2015年第3期北京时间：

作者：李智1,2，陈迪平1，赵建中2，曹成成1,2

单位：（1.湖南大学物理与微电子科学学院， 湖南 长沙 410082；2.中国科学院微电子研究所，北京 100029）

摘要：提出了一种基于TIA/EIA-899标准的TYPE-I型M-LVDS接收芯片的实现方案，设计了一种新颖的共模搬移电路在实现超越电源电压轨的共模输入范围的同时简化了后级电路设计，节约了面积和功耗，电路中预放大器将输入信号放大一定倍数，迟滞比较器为系统引入迟滞效果。芯片采用GSMC 0.18 μm 1P6M CMOS工艺流片验证。测试结果表明，该芯片共模输入范围为-1.4 V~3.8 V，信号传输速率大于250 Mbps，具有典型值为28 mV的迟滞效果。关键词：

关键词：M-LVDS,高速接口,共模电压,迟滞,

基金资助：湖南省工业支撑项目（2013GK3019）