阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响
来源：计算机工程与科学杂志2015年第6期北京时间：
作者：刘蓉容1，池雅庆1,2，何益百1，窦强1
单位：（1.国防科学技术大学计算机学院，湖南 长沙 410073;2.电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室，广东 广州 510610）
摘要：使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明，纳米工艺下，当存在脉冲窄化效应时，增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽，这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时，还分析了不同入射粒子LET值以及晶体管间距条件对该现象的作用趋势。
关键词：阱接触面积,单粒子瞬态,PMOS,脉冲宽度,
基金资助：国家重点实验室开放基金（ZHD201202）
