基于预布去耦电容的片上电源噪声抑制策略

来源：计算机工程杂志2018年第11期北京时间：

作者：高成振,马永飞,孙战先,柯希明

单位：上海高性能集成电路设计中心,上海 201204

摘要：去耦电容是抑制电源噪声的有效方法,为平衡去耦电容插入量与去耦电容泄漏功耗,提出一种新的预布去耦电容策略,以抑制电源噪声。在芯片物理设计的布局布线阶段之前,预先均匀地插入一定数量的去耦电容,以优化去耦电容布局并改善电源噪声。实验结果表明,采用该策略后,仅增加1%的去耦电容插入量,能够减小7.2%的瞬态电压降,且当预布的去耦电容面积占芯片总面积的4%～6%时,能够取得较好的噪声抑制效果。

关键词：去耦电容,电源完整性,电源噪声,片上,预布

基金资助：“核高基”重大专项“超级计算机处理器研发”(2013ZX01028-001-001-001)