电荷俘获型3D Nand闪存边缘字线可靠性优化方法

来源：计算机测量与控制杂志2025年第6期北京时间：

作者：谭家乐,许旭晗,宣吴丽娜,张俊杰,曹炳尧

单位：上海大学

摘要：3D NAND闪存凭借其高存储密度、高性能等优点，在众多领域得到广泛应用；然而，在3D NAND闪存块不完全编程时，其内部字线与边缘字线之间的保留错误特征存在显著差异，这对数据存储的可靠性构成了严重威胁；为应对这一挑战，提出了一种适用于边缘字线的4-8LC方法；该方法将TLC闪存的8种阈值电压状态均分为4组，组内两种状态对应的信息编码的汉明距离需为1；分组后，将与擦除态同组的另一阈值电压状态的闪存单元编程至擦除态，其余3组中处于较低阈值电压状态的闪存单元编程为同组中的另一状态；随后进行数据保留实验并读取误码信息；实验结果显示，在闪存块历经3000次P/E循环，并在常温下数据保留一年的条件下，边缘字线的平均保留错误数量达到了内部字线的2.97倍，所提出的4-8LC方法使边缘字线的低页和高页误码率分别降低了99.7%和99.9%，提升可靠性的效果是EP方法的1.74倍。

关键词：3D Nand闪存;边缘字线;保留错误;4-8LC