一种紧凑型超宽带低噪声放大器研究

来源：计算机测量与控制杂志2026年第3期北京时间：

作者：雷博文,卢子焱,张坤

单位：中国电子科技集团公司第29研究所

摘要：针对高性能射频前端接收部分小型化的应用需求，基于0. 25 μm GaAs pHEMT工艺，设计了一款工作频率覆盖2 ~ 18 GHz的紧凑型超宽带低噪声放大器。放大器采用了两级级联电路拓扑，前级选用共源共栅结构配合源极串联电感负反馈，后级选用共源极结构，通过两级并联负反馈及紧凑型版图设计技术，优化了芯片的增益平坦度与面积，在噪声系数较小的同时拥有较大输出功率。经实验测试，芯片在2~18 GHz频带内实现了噪声系数≤2.8 dB，小信号增益22~26 dB且呈正斜率，输入驻波比<2.2，输出驻波比14 dBm。该器件尺寸仅为1 mm×1.5 mm，满足了宽频带、低噪声及小型化的工程应用需求。

关键词：超宽带;低噪声放大器;共源共栅放大器;并联负反馈;源级串联负反馈