基于三维气密陶瓷封装的毫米波射频前端SiP设计

来源：计算机测量与控制杂志2026年第3期北京时间：

作者：王志轩,周丽,李志友

单位：中国电子科技集团公司第29研究所

摘要：基于三维气密陶瓷封装技术，以提升集成密度与信号传输性能，实现射频前端系统级封装（SiP）小型化为目的，开展了一项毫米波射频前端SiP的设计与实现研究。采用三维直接覆铜（DPC）陶瓷基板与单片微波集成电路（MMIC）进行三维堆叠设计，并使用陶瓷通孔与铜柱构建类同轴传输结构，实现了射频信号的垂直互连，显著提升了射频前端SiP的集成密度和信号传输效率。通过详细的射频性能分析与关键参数计算，验证了该结构在毫米波频段的有效性。测试结果显示，在工作频段内，发射输出功率为21~22 dBm，接收增益为25~26 dB，接收噪声系数小于3.2 dB，电压驻波比小于2.3，拥有6 bit移相功能步进5.625°和6 bit衰减功能步进0.5 dB，射频前端SiP尺寸仅12×12×4 mm3。

关键词：三维气密封装;DPC陶瓷基板;射频前端SiP;陶瓷通孔;类同轴传输