CdTe探测器能量刻度与探测效率的模拟计算

来源：计量学报杂志2017年第3期北京时间：

作者：姚馨博,吴金杰,王玉龙,陈成,王佳, 杨扬

单位：浙江省计量科学研究院, 浙江 杭州 310013

摘要：在实现对单能平行光子源的绝对测量之前,需要对CdTe探测器进行刻度。利用已知点源对CdTe探测器进行能量刻度,得到刻度曲线和能量分辨率,利用工业CT对CdTe探测器进行精确扫描,得到CdTe探测器内部结构,并以此为基础,利用MCNP5蒙特卡罗模拟程序建立CdTe探测器物理模型;计算20～150keV能量段,能量间隔为1keV每个能量点的探测效率,得到CdTe探测器的效率曲线图。发现CdTe探测器在低能段探测效率较高,但Te元素在27keV和32keV处产生了逃逸峰,探测效率有所下降,之后探测效率曲线呈现先上升后下降的趋势。

关键词：计量学; CdTe探测器; 探测效率; 蒙特卡罗模拟; CT扫描