Ga-In-Sn微型共晶点相变特性研究

来源：计量学报杂志2019年第3期北京时间：

作者：刁福广,蔡晋辉,孙建平,王颖文,高凯,叶萌

单位：1. 中国计量大学, 浙江 杭州 310018; 2. 中国计量科学研究院, 北京 100029;

摘要：以Ga-In-Sn三元合金为研究对象,研制了可用于现场及在线标定的微型Ga-In-Sn共晶点容器,开展了3种不同配比对相变温度和温坪复现影响的研究。结果表明:3种配比的共晶点温坪可持续1.2~2 h,实验的复现性优于4.5 mK,合成扩展不确定度为9.3 mK(k=2),3种配比的共晶点相变温度平均值为10.748 ℃;在相同热工况下Ga-In-Sn合金发生共晶反应的相变温度不受配比的影响;改变合金熔体的降温速率可改变微型共晶点过冷度。

关键词：计量学; ITS-90国际温标; 相变特性; 镓铟锡三元合金; 微型共晶点

基金资助：国家重点研发计划(2017YFF02063,2017YFF0206303);国家自然科学基金(51576181)