发射率对半导体器件显微红外测温结果的影响

来源：计量学报杂志2021年第1期北京时间：

作者：韩伟,刘岩,杜蕾,郑世棋,翟玉卫,梁法国

单位：中国电子科技集团公司第十三研究所, 河北 石家庄 050051

摘要：为了确认半导体器件较低的发射率对显微红外测温结果的影响,采用研制的半导体材料和金属材料靶标进行了一系列验证实验,分析了发射率对显微红外热像仪测温准确度的影响。研制了带有铂电阻结构的GaAs材料靶标和Au材料靶标,用显微红外热像仪对黑体和研制的2种靶标进行了不同温度下的测试,在110℃条件下,黑体、GaAs、Au 3种材料的温度偏差为1.9,3.7,7.9℃。测试结果表明,材料发射率越低,测温误差越大,且误差会随着温度的升高而增大。利用显微红外热像仪进行半导体器件温度测量时,需要考虑发射率的影响。

关键词：计量学;发射率;半导体器件;显微红外热像仪;靶标