用于量子电压基准中约瑟夫森结阵列的CMP平整化工艺研究

来源：计量学报杂志2022年第3期北京时间：

作者：赵欣,曹文会,李劲劲

单位：中国计量科学研究院 前沿计量科学中心,北京 102200

摘要：化学机械平坦化(chemical mechanical planarization, CMP)工艺处理SiO2绝缘层是一种获得高度集成化超导电路的关键技术,尤其适合于多层堆叠约瑟夫森结阵列器件的平整化。设计了应用于热氧化生长的SiO2薄膜和化学气象沉积生长的SiO2薄膜的CMP工艺,得出两种薄膜的抛光速率分别为2nm/s和3nm/s,晶圆的全局材料去除高度差均在20nm以内。并将CMP工艺应用到约瑟夫森结阵列的制作流程,结单元结构AFM高度轮廓扫描显示台阶高度由240nm减小到约25nm,其上的SiO2绝缘层2×2μm2区域内的表面粗糙度为0.535nm,提供了后续器件制备所需的工艺窗口。

关键词：计量学; 约瑟夫森结阵列; 化学机械平整化

基金资助：国家重点研发计划(2018YFB2003401)