不同基片生长γ′-Fe4N薄膜的结构及其磁学性能

来源：吉林大学学报·理学版杂志2019年第1期北京时间：

作者：刘伟达, 陈蕊, 王丽丽, 李宏广, 安涛, 张东辉, 徐士翀

单位：1. 长春大学 理学院, 长春 130022； 2. 核工业工程研究设计有限公司,北京 101300；3. 吉林师范大学 功能材料物理与化学教育部重点实验室, 长春 130103

摘要：采用直流磁控溅射方法, 保持氩气流量不变, 控制氮气的体积分数为10%,125%,15%, 分别用Si（100）单晶和SrTiO3（100）单晶基片制备FeN薄膜. 用X射线衍射(XRD)和振动样品磁强计(VSM)等方法对两种不同基片生长FeN薄膜的结构及磁学性能进行表征. 结果表明: 在SrTiO3（100）单晶基片上得到了单相γ′-Fe4N薄膜, 与Si（100）基片上的样品相比, SrTiO3（100）更有利于诱导γ′-Fe4N薄膜的取向性生长; 当氮气的体积分数约为12.5%时,制备单相γ′-Fe4N薄膜的晶粒结晶度较好, 且饱和磁化强度较高, 矫顽力比Si（100）为基片获得的FeN薄膜样品低, 软磁性能较好.

关键词：Fe-N薄膜,基片,微观结构,磁学性能