In2O3纳米线阵列的合成及表征

来源：吉林大学学报·理学版杂志2019年第3期北京时间：

作者：周玉意, 宫杰, 王新庆, 李东升, 李晓青

单位：1. 中国计量大学 计量测试工程学院, 杭州 310018; 2. 中国计量大学 现代科技学院, 杭州 310018;3. 中国计量大学 材料科学与工程学院, 杭州 310018

摘要：采用SBA-15硬模板复制技术合成纳米In2O3样品, 并用X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、 紫外可见光谱对样品的晶体结构、 晶粒尺寸、 形貌及带隙宽度进行测试, 分析样品的纳米结构对气敏性能的影响机制. 结果表明: 样品为纳米线阵列结构, 三维In2O3纳米线阵列结构由粒径约为15 nm的单晶近球形In2O3颗粒规则有序排列组成, 间距约为1 nm, 带隙宽度为3.63 eV; 当温度为320 ℃, 乙醇气体在空气中的体积比为10-4时, 其灵敏度达42.3. 该纳米结构样品明显优于相同级别纳米颗粒和纳米介孔材料的气敏性能.

关键词：纳米线阵列,纳米结构有序度,介孔结构,气敏性能