Ag掺杂In2O3薄膜的制备及其光电性能

来源：吉林大学学报·理学版杂志2024年第4期北京时间：

作者：韩梦瑶, 孙辉, 周鸥翔, 齐东丽, 李同辉, 沈龙海

单位：沈阳理工大学 理学院, 沈阳 110159

摘要：为研究Ag的掺杂浓度对氧化铟薄膜禁带宽度、 光开关比及光探测率等光电性能的影响, 采用磁控溅射方法在石英(SiO2)衬底上制备不同浓度的Ag掺杂氧化铟(In2O3∶Ag)薄膜, 并利用X射线衍射、 X射线光电子能谱、 扫描电子显微镜、 紫外-可见分光光度计分析In2O3∶Ag薄膜的晶体结构、 元素含量和价态、 表面形貌、 禁带宽度及光电性能. 结果表明： 随着Ag掺杂浓度的增加, In2O3∶Ag薄膜的透过率逐渐降低, 禁带宽度由2.47 eV减小至2.08 eV, 光探测率和光开关比增大； 随着掺杂浓度的增加, 光谱响应范围增加.

关键词：氧化铟,Ag掺杂,磁控溅射,禁带宽度,光电性能