元素掺杂及分子吸附对B4C3电子性质的影响

来源：吉林大学学报·理学版杂志2026年第1期北京时间：

作者：李萱, 邵立, 门彩瑞, 何渊淘, 李艳

单位：1. 郑州航空工业管理学院 材料学院, 郑州 450015； 2. 郑州航空工业管理学院 智能工程学院, 郑州 450015

摘要：研究S,N,P,Si 4种原子掺杂和NO,NO2,NH3,CO,CO2,SO2,H2S 7种小分子吸附对B4C3二维材料几何结构和电子性质的影响. 结果表明, 与本征B4C3材料2.020 eV带隙相比, 掺杂和小分子吸附体系的禁带宽度均减小. 其中, N掺杂体系的带隙值在4种体系中最小, 因此掺杂N原子对B4C3的电子性质影响最明显. NO2吸附后B4C3由半导体变为金属, 表明B4C3可有效检测NO2气体.

关键词：密度泛函理论,B4C3')">二维B4C3,掺杂,吸附