微量Ni掺杂对铜锌锡硫硒薄膜电学性能的影响

来源：吉林大学学报·理学版杂志2026年第3期北京时间：

作者：何小龙, 米亚金, 白露露, 杨艳春

单位：1. 华北电力大学 新能源学院, 北京 102206； 2. 内蒙古师范大学 物理与电子信息学院, 呼和浩特 010020

摘要：为研究微量Ni掺杂对铜锌锡硫硒(Cu2ZnSn(S,Se)4)薄膜的结晶性、 缺陷浓度和电学性能的影响, 在不影响其他阳离子（铜、 锌和锡）的前提下, 引入微量Ni离子进入铜锌锡硫前驱体溶液中,经旋涂—烧结—硒化的制备流程, 得到Ni掺杂的铜锌锡硫硒薄膜, 并利用X射线衍射、 Raman光谱仪、 X射线光电子能谱、 电感耦合等离子体光学发射光谱、 扫描电子显微镜、紫外-可见分光光度计、 Hall效应和导电原子力显微镜对其进行测试分析. 结果表明, 当Ni掺杂百分数为0.5%时, 薄膜的结晶度最佳, 不良缺陷SnZn缺陷浓度降到最低, 载流子浓度为3.58×1016cm-3, 平均表面电流为4.67 nA, 薄膜的电学性能达到最佳.

关键词：铜锌锡硫硒薄膜,Ni掺杂,缺陷浓度,电学性能