Si基短波碲镉汞材料分子束外延生长研究
来源：激光与红外杂志2015年第6期北京时间：
作者：王经纬
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：报道了在中波工艺基础上,Si基碲镉汞分子束外延短波工艺的最新研究进展,通过温度标定、使用反射式高能电子衍射、高温计的在线测量和现有的中波Si基碲镉汞温度控制曲线建立及优化了Si基碲镉汞短波材料的生长温度控制曲线；获得的Si基短波HgCdTe材料表面光亮、均匀,表面缺陷密度小于3000 cm-2；基于此技术成功制备出了Si基短/中波双色材料。
关键词：硅基碲镉汞;分子束外延;短波碲镉汞外延;短/中波双色碲镉汞
