InSb分子束外延原位掺杂技术研究
来源：激光与红外杂志2015年第7期北京时间：
作者：刘铭
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：对InSb分子束外延薄膜的本征掺杂、N型掺杂以及P型掺杂进行了研究,其中分别以Be作P 型以及以Si、Te作N 型的掺杂剂。实验采用半绝缘的GaAs衬底作为InSb分子束外延用衬底,通过采用低温生长缓冲层技术降低大失配应力,获得高质量InSb外延膜。实验样品采用霍尔测试以及SIMS测试掺杂浓度和迁移率分析掺杂规律、掺杂元素偏聚和激活规律的影响因素。
关键词：分子束外延;N型掺杂;P型掺杂;本征掺杂
