InSb红外焦平面器件台面刻蚀工艺研究
来源：激光与红外杂志2016年第1期北京时间：
作者：谭振
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：传统的湿法腐蚀工艺由于各向同性的特点,象元钻蚀严重,导致器件占空比下降,限制了锑化铟大面阵红外焦平面的发展。基于电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以BCl3/Ar为刻蚀气体,研究了不同气体配比、工作压力、RF功率对刻蚀效果的影响,获得了适用于锑化铟焦平面制备工艺的干法刻蚀技术。
关键词：电感耦合等离子体(ICP);锑化铟;台面刻蚀;刻蚀速率;刻蚀形貌
