p型GaAs欧姆接触性能研究

来源：激光与红外杂志2016年第5期北京时间：

作者：刘梦涵

单位：北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京 100124；

摘要：为了研究半导体光电器件p-GaAs欧姆接触的特性,利用磁控溅射在p-GaAs上生长Ti厚度在10~50 nm范围、Pt厚度在30~60 nm范围的Ti/Pt/200 nm Au电极结构。利用传输线模型测量了具有不同的Ti、Pt厚度的Ti/Pt/200 nm Au电极结构接触电阻率,研究了退火参数对欧姆接触性能的影响,同时分析了过高温度导致电极金属从边缘向内部皱缩的机理。结果表明,Ti厚度为30 nm左右时接触电阻率最低,接触电阻率随着Pt厚度的增加而增加；欧姆接触质量对退火温度更敏感,退火温度达到510 ℃时电极金属从边缘向内部皱缩。采用40 nm Ti/40 nm Pt/200 nm Au作为半导体光电器件p-GaAs电极结构,合金条件为420 ℃,30 s可以形成更好的欧姆接触。

关键词：半导体器件;欧姆接触;接触电阻率;合金

基金资助：国家自然科学基金项目（No.11204009）；北京市自然科学基金项目（No.4142005）；北京市教委创新能力提升计划项目（No.TJSHG201310005001）资助