InSb材料的表征
来源：激光与红外杂志2016年第5期北京时间：
作者：计雨辰
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：InSb为直接带隙半导体材料,禁带宽度77 K时为0.232 eV,在3~5 μm红外探测器上有着重要的应用。本文介绍了InSb晶体材料应用及制备的发展情况,对InSb材料的晶体结构、热学性质、机械性能、光学性质和电学性质的表征进行了叙述。根据InSb材料的基本特性,对其制备发展过程中将可能出现的问题和研究方向进行了预测。
关键词：InSb;半导体;材料表征
《激光与红外杂志》发表论文赏析
作者：计雨辰
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：InSb为直接带隙半导体材料,禁带宽度77 K时为0.232 eV,在3~5 μm红外探测器上有着重要的应用。本文介绍了InSb晶体材料应用及制备的发展情况,对InSb材料的晶体结构、热学性质、机械性能、光学性质和电学性质的表征进行了叙述。根据InSb材料的基本特性,对其制备发展过程中将可能出现的问题和研究方向进行了预测。
关键词：InSb;半导体;材料表征
