重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量

来源：激光与红外杂志2016年第7期北京时间：

作者：付雪涛

单位：工业和信息化部电子第四研究院,北京 100007;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海 200050;中国科学院上海技术物理研究所,上海 200083；

摘要：通过衬底剥离技术对以重掺N型磷化铟(N+-InP)衬底生长的In0.53Ga0.47As外延层的迁移率测量方法进行了研究。首先,采用环氧树脂胶将In0.53Ga0.47As外延层粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上,以盐酸溶液腐蚀掉InP衬底；之后,采用扫描电子显微镜能谱及金相显微镜对InP衬底的剥离情况及In0.53Ga0.47As薄膜的损伤情况进行了检测；最后采用范德堡法对粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上的In0.53Ga0.47As薄膜的迁移率进行了测量。通过对比试验得出,剥离InP衬底的In0.53Ga0.47As薄膜的迁移率测量结果与理论值符合较好,与真值偏差在20%以内。

关键词：铟镓砷外延层;迁移率：范德堡法