大功率半导体激光器腔面氮钝化的研究

来源：激光与红外杂志2016年第7期北京时间：

作者：何新

单位：北京工业大学光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京100124；

摘要：针对980 nm大功率半导体激光器腔面离子铣氮钝化处理工艺进行了研究,发现腔面离子铣氮钝化可以提高激光器的输出特性及COD功率,器件输出功率提高了32.14%；老化实验后,经过氮钝化的半导体激光器没有明显退化,而未经氮钝化处理的激光器退化严重；使用俄歇谱测试仪(AES)对钝化处理后的半导体激光器试验片进行测试,发现有部分的氮离子遗留在腔面处；氮元素含量由原有的0%上升到20%,与此同时,氧元素的含量由原来的61%降至30%。结果表明,该技术能够改善半导体激光器的腔面特性,器件的可靠性和使用寿命可望得到提高。

关键词：激光器;大功率半导体激光器;腔面钝化;离子铣;灾变性光学损伤(COD)

基金资助：北京市教委创新能力提升计划(No.TJSHG201310005001)、国家自然科学基金(No.11204009)、北京市自然科学基金项目(No.4142005)资助