高Al组分In1-xAlx Sb/InSb的MBE生长研究
来源：激光与红外杂志2016年第8期北京时间：
作者：尚林涛
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：高Al(10%~15%)组分的In1-xAlx Sb层可作为势垒层以抑制隧穿暗电流、提高器件工作温度而显得很重要。采用分子束外延的方法对InSb(100)衬底高Al组分的In1-xAlx Sb/InSb外延生长进行了实验探索,确定出了Al组分(约12.5%)并讨论了Al组分梯度递变的In1-xAlx Sb缓冲层和生长温度对外延薄膜质量的影响。
关键词：InSb(100);高铝;InAlSb;薄膜生长
