分子束外延InAs/GaSbⅡ类超晶格的缺陷研究
来源：激光与红外杂志2016年第9期北京时间：
作者：邢伟荣
单位：华北光电技术研究所，北京 100015；
摘要：InAs/GaSb Ⅱ类超晶格被认为制备第三代高性能红外探测器的优选材料。本文对GaSb衬底上分子束外延生长的Ⅱ类超晶格材料缺陷进行了研究，首先对材料表面缺陷分类，然后分析了各类缺陷的起源，并研究了生长温度、GaSb生长速率、As/In束流比等对超晶格表面缺陷的影响，对制备高性能大面阵探测器的Ⅱ类超晶格材料生长具有参考价值。
关键词：Ⅱ类超晶格;分子束外延;缺陷;起源
