MBE外延InSb基CdTe工艺研究
来源：激光与红外杂志2017年第4期北京时间：
作者：王丛
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：成功制备了CdTe/InSb复合衬底，为长波HgCdTe外延提供了可能。通过工艺研究解决了InSb氧化层去除及In元素扩散控制两个难点问题，使用As钝化法可以解决双腔衬底转移的问题，在常用的退火工艺下，通过厚度的调整可以阻挡In元素的扩散。
关键词：MBE;CdTe/InSb;RHEED;In扩散;SIMS
《激光与红外杂志》发表论文赏析
作者：王丛
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：成功制备了CdTe/InSb复合衬底，为长波HgCdTe外延提供了可能。通过工艺研究解决了InSb氧化层去除及In元素扩散控制两个难点问题，使用As钝化法可以解决双腔衬底转移的问题，在常用的退火工艺下，通过厚度的调整可以阻挡In元素的扩散。
关键词：MBE;CdTe/InSb;RHEED;In扩散;SIMS
