Si基中短波双色HgCdTe材料生长及表征
来源：激光与红外杂志2017年第5期北京时间：
作者：高达
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：报道了碲镉汞(MCT)分子束外延(MBE)的最新研究进展。基于现有Si基中波、短波HgCdTe材料工艺基础,开发获得了Si基中短波双色HgCdTe材料的生长工艺。使用反射式高能电子衍射分析在线监测生长过程,优化了Si基中短波双色HgCdTe材料生长工艺。获得了具有良好晶体质量的Si基中短波双色HgCdTe材料。
关键词：Si基HgCdTe;中短波双色;材料技术
